Ключевые слова: мемристор, островковые тонкие пленки, вакуум, проводимость

Аннотация

В работе рассмотрены механизмы изменения проводимости активного слоя мемристора. Предложено внедрение островкового слоя в структуру мемристора для активации механизма проводимости. Приведены результаты отработки режимов формирования островковой пленки меди. Предложен и реализован маршрут формирования тестовой структуры мемристора подложка/W/ОТП/Al2O3/Cu. Геометрические параметры структуры оценены на сканирующем электронном микроскопе. Проведено исследование вольт-амперной характеристики разработанного устройства.

Keywords: memristor, islet thin film, vacuum, conductivity

Abstract

The paper considers the mechanisms of changing the conductivity of the active layer of the memristor. The introduction of an island layer into the structure of a memristor to activate the conduction mechanism is proposed. The results of working out the modes of formation of an insular copper film are presented. The route of formation of the test structure of the memristor substrate/W/ITF/Al2O3/Cu is proposed and implemented. The geometric parameters of the structure were evaluated using a scanning electron microscope. A study of the volt-ampere characteristics of the developed device was carried out.